Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Near Infrared InAs/GaAsSb Quantum Dot Light Emitting Diodes
Año:2011

Áreas de investigación

Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
ISSN
0018-9197
Factor de impacto JCR
2,477
Información de impacto
Volumen
47
DOI
10.1109/JQE.2011.2174617
Número de revista
12
Desde la página
1547
Hasta la página
1556
Mes
Ranking
23/116 PHYSICS, APPLIED (SCI); 11/77 OPTICS (SCI); 24/247 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC (SCI)

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica