Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
One dimensional exciton luminescence induced by extended defects in nonpolar (Al,Ga)N/GaN quantum wells
Year:2011
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
Si
Title
Semiconductor Science And Technology
ISBN
0268-1242
Impact factor JCR
1,323
Impact info
Volume
26
Journal number
2
From page
025012
To page
025015
Month
SIN MES
Ranking
Participants
  • Autor: A. DUSSAIGNE
  • Autor: P. CORFDIR
  • Autor: J. LEVRAT
  • Autor: T. ZHU
  • Autor: D. MARTIN
  • Autor: P. LEFEBVRE
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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