Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
One dimensional exciton luminescence induced by extended defects in nonpolar (Al,Ga)N/GaN quantum wells
Año:2011
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Semiconductor Science And Technology
ISSN
0268-1242
Factor de impacto JCR
1,323
Información de impacto
Volumen
26
DOI
Número de revista
2
Desde la página
025012
Hasta la página
025015
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: A. DUSSAIGNE
  • Autor: P. CORFDIR
  • Autor: J. LEVRAT
  • Autor: T. ZHU
  • Autor: D. MARTIN
  • Autor: P. LEFEBVRE
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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