Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Ta2O5/SiO2 insulating acoustic mirrors for AlN-based X-band BAW resonators
Año:2011
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
This work describes the performance of AlN-based bulk acoustic wave resonators built on top of insulating acoustic reflectors and operating at around 8 GHz. The acoustic reflectors are composed of alternate layers of amorphous Ta2O5 and SiO2 deposited at room temperature by pulsed-DC reactive sputtering in Ar/O2 atmospheres. SiO2 layers have a porous structure that provides a low acoustic impedance of only 9.5 MRayl. Ta2O5 films exhibit an acoustic impedance of around 39.5 MRayl that was assessed by the picoseconds acoustic technique These values allow to design acoustic mirrors with transmission coefficients in the centre of the band lower than -40 dB (99.998 % of reflectance) with only seven layers. The resonators were fabricated by depositing a very thin AlN film onto an iridium bottom electrode 180 nm-thick and by using Ir or Mo layers as top electrode. Resonators with effective electromechanical coupling factors of 5.7% and quality factors at the antiresonant frequency around 600 are achieved.
Internacional
Si
Nombre congreso
2011 IEEE International Ultrasonics Symposium
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Orlando, EE. UU.
Revisores
Si
ISBN o ISSN
1051-0117
DOI
10.1109/ULTSYM.2011.0425
Fecha inicio congreso
18/10/2011
Fecha fin congreso
21/10/2011
Desde la página
1704
Hasta la página
1707
Título de las actas
2011 IEEE International Ultrasonics Symposium Proc.
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
  • Departamento: Tecnología Electrónica