Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Temperature and time dependent threshold voltage characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Year:2011
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications,
  • Electric engineers, electronic and automatic (eil)
Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
No
Title
Physica status solidi c
ISBN
0000000000000
Impact factor JCR
0
Impact info
Volume
DOI 10.1002/pssc.201001102
Journal number
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Month
SIN MES
Ranking
Participants
  • Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Travis J. Anderson
  • Autor: Roberto Cuerdo
  • Autor: Karl D. Hobart
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)