Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Relaxation, crystal quality and phase separation in InGaN epilayers grown at intermediate contents (x~0.5)
Año:2011

Áreas de investigación
  • Ingenierías

Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
Nombre congreso
9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2011
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Glasgow (UK) 2011
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
10/07/2011
Fecha fin congreso
15/07/2011
Desde la página
0
Hasta la página
0
Título de las actas
Proceedings

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: A Redondo-Cubero
  • Autor: J. Pereiro
  • Autor: K. Lorenz
  • Autor: N Franco
  • Autor: J. Grandal
  • Autor: E. Alves
  • Autor: Elias Muñoz Merino UPM

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica