Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Thermally assisted tunneling transport in La0.7Ca0.3MnO3/SrTiO3:Nb Schottky-like heterojunctions
Año:2012
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
We report on the electrical transport properties of all-oxide La0.7Ca0.3MnO3/SrTiO3:Nb heterojunctions with lateral size of just a few micrometers. The use of lithography techniques to pattern manganite pillars ensures perpendicular transport and allows exploration of the microscopic conduction mechanism through the interface. From the analysis of the current-voltage characteristics in the temperature range 20?280 K we find a Schottky-like behavior that can be described by a mechanism of thermally assisted tunneling if a temperature-dependent value of the dielectric permittivity of SrTiO3:Nb (NSTO) is considered.We determine the Schottky energy barrier at the interface, qVB = 1.10 ± 0.02 eV, which is found to be temperature independent, and a value of ? = 17 ± 2 meV for the energy of the Fermi level in NSTO with respect to the bottom of its conduction band.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Physical Review B
ISSN
1098-0121
Factor de impacto JCR
3,691
Información de impacto
Volumen
85
DOI
10.1103/PhysRevB.85.245122
Número de revista
Desde la página
2451221
Hasta la página
2451226
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Marta Clement Lorenzo UPM
  • Autor: Enrique Iborra Grau UPM
  • Autor: F. A. Cuellar Universidad Complutense de Madrid
  • Autor: G. Sanchez-Santolino Universidad Complutense de Madrid
  • Autor: M. Varela Universidad Complutense de Madrid
  • Autor: Z. Sefriou Universidad Complutense de Madrid
  • Autor: J. Santamaria Universidad Complutense de Madrid
  • Autor: C. León Universidad Complutense de Madrid
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
  • Departamento: Tecnología Electrónica