Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Independent tuning of electron and hole confinement in InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAsSbN capping layer
Año:2012

Áreas de investigación

Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,82
Información de impacto
Volumen
100
DOI
10.1063/1.3673563
Número de revista
1
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Mes
Ranking
14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: j. m. ulloa UPM
  • Autor: d. f. reyes
  • Autor: m. montes UPM
  • Autor: k. yamamoto UPM
  • Autor: d. l. sales
  • Autor: d. gonzalez
  • Autor: a. guzman UPM
  • Autor: a. hierro UPM

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica