Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Independent tuning of electron and hole confinement in InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAsSbN capping layer
Year:2012
Research Areas
Information
Abstract
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,82
Impact info
Volume
100
10.1063/1.3673563
Journal number
1
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0
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4
Month
Ranking
14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Participants
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: d. f. reyes
  • Autor: m. montes (UPM)
  • Autor: k. yamamoto (UPM)
  • Autor: d. l. sales
  • Autor: d. gonzalez
  • Autor: a. guzman (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
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