Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Absorption coefficient for the intraband transitions in quantum dot materials
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Dispositivos electrónicos,
  • Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica,
  • Silicio,
  • Células solares
Datos
Descripción
In this paper, we present calculations of the absorption coefficient for transitions between the bound states of quantum dots grown within a semiconductor and the extended states of the conduction band. For completeness, transitions among bound states are also presented. In the separation of variables, single band k·p model is used in which most elements may be expressed analytically. The analytical formulae are collected in the appendix of this paper. It is concluded that the transitions are strong enough to provide a quick path to the conduction band for electrons pumped from the valence to the intermediate band
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Progress in Photovoltaics
ISSN
1062-7995
Factor de impacto JCR
5,789
Información de impacto
Volumen
DOI
10.1002/pip.1250
Número de revista
Desde la página
1
Hasta la página
10
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física