Memorias de investigación
Artículos en revistas:
In situ study of Ge(100) surfaces with tertiarybutylphosphine supply in vapor phase epitaxy ambient
Año:2012
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
GaInP nucleation on Ge(100) often starts by annealing of the Ge(100) substrates under supply of phosphorus precursors. However, the influence on the Ge surface is not well understood. Here, we studied vicinal Ge(100) surfaces annealed under tertiarybutylphosphine (TBP) supply in MOVPE by in situ reflection anisotropy spectroscopy (RAS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and low energy electron diffraction (LEED). While XPS reveals a P termination and the presence of carbon on the Ge surface, LEED patterns indicate a disordered surface probably due to by-products of the TBP pyrolysis. However, the TBP annealed Ge(100) surface exhibits a characteristic RA spectrum, which is related to the P termination. RAS allows us to in situ control phosphorus desorption dependent on temperature.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,726
Información de impacto
Volumen
370
DOI
Número de revista
Desde la página
173
Hasta la página
176
Mes
AGOSTO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes UPM
  • Autor: S. Brückner
  • Autor: O. Supplie
  • Autor: H. Döscher
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado UPM
  • Autor: T. Hannappel
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física