Memorias de investigación
Artículos en revistas:
In situ control of As dimer orientation on Ge(100) surfaces
Año:2012
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
We investigated the preparation of single domain Ge(100):As surfaces in a metal-organic vapor phase epitaxy reactor. In situ reflection anisotropy spectra (RAS) of vicinal substrates change when arsenic is supplied either by tertiarybutylarsine or by background As4 during annealing. Low energy electron diffraction shows mutually perpendicular orientations of dimers, scanning tunneling microscopy reveals distinct differences in the step structure, and x-ray photoelectron spectroscopy confirms differences in the As coverage of the Ge(100):As samples. Their RAS signals consist of contributions related to As dimer orientation and to step structure, enabling precise in situ control over preparation of single domain Ge(100):As surfaces.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,844
Información de impacto
Volumen
101
DOI
10.1063/1.4754122
Número de revista
12
Desde la página
121602
Hasta la página
121602
Mes
SEPTIEMBRE
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: S. Brückner
  • Autor: O. Supplie
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes UPM
  • Autor: J. Luczak
  • Autor: P. Kleinschmidt,
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado UPM
  • Autor: H. Döscher
  • Autor: T. Hannappel
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física