Artículos en revistas:
High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing
Año:2012
Áreas de investigación
- Ingenierías,
- Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Applied Physics Letters |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,844 |
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Información de impacto
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Volumen
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101 |
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DOI
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Número de revista
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Desde la página
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25311 |
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Hasta la página
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25311-5 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
- Autor: Adrian Hierro Cano UPM
- Autor: JM LLorens
- Autor: B Alen
- Autor: D.F Reyes
- Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica