Artículos en revistas:
Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography
Año:2012
Áreas de investigación
- Ingenierías
Datos
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Descripción
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| Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/investigacion.php | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Journal of Crystal Growth |
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ISSN
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0022-0248 |
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Factor de impacto JCR
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1,726 |
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Información de impacto
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Volumen
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353 |
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DOI
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Número de revista
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1 |
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Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Steven Albert . UPM
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia UPM
- Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
- Autor: L.L López
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo UPM
- Autor: S Estradé
- Autor: et al
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica