Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Engineering metal precipitate size distributions to enhance gettering in multicrystalline silicon
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Dispositivos electrónicos,
  • Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
The extraction of metal impurities during phosphorus diffusion gettering (PDG) is one of the crucial process steps when fabricating high-efficiency solar cells using low-cost, lower-purity silicon wafers. In this work, we show that for a given metal concentration, the size and density of metal silicide precipitates strongly influences the gettering efficacy. Different precipitate size distributions can be already found in silicon wafers grown by different techniques. In our experiment, however, the as-grown distribution of precipitated metals in multicrystalline Si sister wafers is engineered through different annealing treatments in order to control for the concentration and distribution of other defects. A high density of small precipitates is formed during a homogenization step, and a lower density of larger precipitates is formed during extended annealing at 740 degrees C. After PDG, homogenized samples show a decreased interstitial iron concentration compared to as-grown and ripened samples, in agreement with simulations.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Physica Status Solidi a-Applications And Materials Science
ISSN
1862-6300
Factor de impacto JCR
1,463
Información de impacto
Volumen
209
DOI
10.1002/pssa.201200360
Número de revista
10
Desde la página
1861
Hasta la página
1865
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: J. Hofstetter
  • Autor: D.P. Fenning
  • Autor: J.F. Lelievre
  • Autor: Carlos del Cañizo Nadal UPM
  • Autor: T. Buonassisi
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física