Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
ARXPS analysis of a GaAs/GaInP heterointerface with application in III-V multijunction solar cells
Año:2012
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
In this contribution, angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy is used to explore the extension and nature of a GaAs/GaInP heterointerface. This bilayer structure constitutes a very common interface in a multilayered III-V solar cell. Our results show a wide indium penetration into the GaAs layer, while phosphorous diffusion is much less important. The physico-chemical nature of such interface and its depth could deleteriously impact the solar cell performance. Our results probe the formation of spurious phases which may profoundly affect the interface behavior.
Internacional
Si
Nombre congreso
38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Austin, Texas (EEUU)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4673-0066-7
DOI
Fecha inicio congreso
03/06/2012
Fecha fin congreso
08/06/2012
Desde la página
385
Hasta la página
389
Título de las actas
"ARXPS analysis of a GaAs/GaInP heterointerface with application in III-V multijunction solar cells"
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: M. Gabás
  • Autor: M.C. López Escalante
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
  • Autor: B. Galiana
  • Autor: S. Palanco
  • Autor: J.R Ramos Barrado
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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