Memorias de investigación
Patentes:
MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER
Año:2012

Áreas de investigación
  • Ingenierías

Datos
Descripción
Patente que describe un método para realizar el dopado selectivo de un semiconductor mediante un proceso de transferencia inducida por láser.
Internacional
No
Estado
Solicitada
Referencia Patente Prioritaria
P201231065
En explotación
No
Licenciatarios
Fecha solicitud
06/06/2012
Titulares aparte de la UPM
UPC

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: M. Colina UPC
  • Autor: C. Voz UPC
  • Autor: I. Martín UPC
  • Autor: R. Alcubilla UPC
  • Autor: Carlos Luis Molpeceres Alvarez UPM
  • Autor: Maria Isabel Sanchez Aniorte UPM

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Centro Laser
  • Departamento: Física Aplicada a la Ingeniería Industrial