Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Role of surface trap states on two-dimensional electron gas density in InAlN/AlN/GaN heterostructures
Año:2012
Áreas de investigación
  • Fisica sm -- estructura de materiales,
  • Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
In order to clarify the effect of charged dislocations and surface donor states on the transport mechanisms in polar AlInN/AlN/GaN heterostructures, we have studied the current-voltage characteristics of Schottky junctions fabricated on AlInN/AlN/GaN heterostructures. The reverse-bias leakage current behaviour has been interpreted with a Poole-Frenkel emission of electrons from trap states near the metal-semiconductor junction to dislocation induced states. The variation of the Schottky barrier height as a function of the AlN layer thickness has been measured and discussed, considering the role of the surface states in the formation of the two dimensional electron gas at AlN/GaN interface.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,844
Información de impacto
Datos JCR del año 2011
Volumen
100
DOI
Número de revista
Desde la página
152116-1
Hasta la página
152116-4
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Saurabh Pandey Department of Physics, University of Bologna
  • Autor: Daniela Cavalcoli Department of Physics, University of Bologna
  • Autor: Beatrice Fraboni Department of Physics, University of Bologna
  • Autor: Anna Cavallini Department of Physics, University of Bologna
  • Autor: Tommaso Brazzini . UPM
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica