Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Electronic structure of substitutional group-1B impurities in beta-Silicon carbide
Año:2013

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
CHEMICAL PHYSICS LETTERS
ISSN
0009-2614
Factor de impacto JCR
2,337
Información de impacto
Volumen
578
DOI
10.1016/j.cplett.2013.05.065
Número de revista
Desde la página
59
Hasta la página
65
Mes
Ranking
0
Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física