Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Interstitial Ti for intermediate band formation in Ti-supersaturated silicon
Año:2012

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,168
Información de impacto
Volumen
112
DOI
10.1063/1.4768274
Número de revista
11
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: d. pastor UPM
  • Autor: a. munoz-martin
  • Autor: a. climent-font
  • Autor: i. martil
  • Autor: g. gonzalez-diaz

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica