Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing
Year:2012
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,844
Impact info
Volume
101
10.1063/1.4773008
Journal number
25
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0
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5
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: j. m. llorens
  • Autor: b. alen
  • Autor: d. f. reyes
  • Autor: d. l. sales
  • Autor: d. gonzalez
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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