Ponencias en congresos:
Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection
Año:2012
Áreas de investigación
- Dispositivos sensores
Datos
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Descripción
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| In the last decade the interest in nitride-based sensors (gas, ions...) and bio-sensors is increased. In the case of ion sensitive FET (ISFET), gate voltages induced by ions adsorbed onto the gate region modulate the source-drain currents. | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Sapporo (Japan) |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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000-0-0000-0000-0 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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14/10/2012 |
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Fecha fin congreso
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19/10/2012 |
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Desde la página
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Hasta la página
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Título de las actas
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Actas del IWN2012 |
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Tommaso Brazzini . UPM
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo UPM
- Autor: Miguel Angel Sanchez-Uran Gonzalez UPM
- Autor: Fernando Calle Gomez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica