Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Sub-Bandgap External Quantum Efficiency in Ti Implanted Si Heterojunction with Intrinsic Thin Layer Cells
Año:2013
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-4922
Factor de impacto JCR
1,067
Información de impacto
Volumen
52
DOI
10.7567/JJAP.52.122302
Número de revista
12
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: santiago silvestre
  • Autor: alfredo boronat
  • Autor: antonio luque UPM
  • Autor: david pastor UPM
  • Autor: elisa antolin UPM
  • Autor: monica colina
  • Autor: estela hernandez UPM
  • Autor: luis castaner
  • Autor: inigo ramiro UPM
  • Autor: irene artacho UPM
  • Autor: alvaro del prado
  • Autor: esther lopez UPM
  • Autor: ignacio martil
  • Autor: antonio marti UPM
  • Autor: german gonzalez-diaz
  • Autor: javier olea
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Departamento: Electrónica Física