Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Far infrared photoconductivity in a silicon based material: Vanadium supersaturated silicon
Año:2013
Áreas de investigación
  • Dispositivos electrónicos,
  • Células solares
Datos
Descripción
We have analyzed the spectral sub-bandgap photoresponse of silicon (Si) samples implanted with vanadium (V) at different doses and subsequently processed by pulsed-laser melting. Samples with V concentration clearly above the insulator-metal transition limit show an important increase of the photoresponse with respect to a Si reference sample. Their photoresponse extends into the far infrared region and presents a sharp photoconductivity edge that moves towards lower photon energies as the temperature decreases. The increase of the value of the photoresponse is contrary to the classic understanding of recombination centers action and supports the predictions of the insulator-metal transition theory.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,794
Información de impacto
Volumen
103
DOI
Número de revista
Desde la página
032101-1
Hasta la página
032101-5
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: E. García-Hemme
  • Autor: R Garcia-Hernansanz
  • Autor: Javier Olea Ariza UPM
  • Autor: D Pastor
  • Autor: A. del Prado
  • Autor: I. Martil
  • Autor: G. González-Diaz
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar