Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Electronic properties of doped magnesium thioindate ternary spinel in the normal and in the inverse structure
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica,
  • Dispositivos fotónicos receptores de luz
Datos
Descripción
We present a theoretical study of the structural and electronic properties of the M-doped MgIn2S4 ternary spinel semiconductor with M = V, Cr, and Mn. All substitutions, in the normal and in the inverse structure, are analyzed. Some of these possible substitutions present intermediate-band states in the band gap with a different occupation for a spin component. It increases the possibilities of inter-band transitions and could be interesting for applications in optoelectronic devices. The contribution to, and the electronic configuration of, these intermediate bands for the octahedral and tetrahedral sites is analyzed and discussed. The study of the substitutional energies indicates that these substitutions are favorable. Comparison between the pure and doped host's absorption coefficients shows that this deeper band opens up more photon absorption channels and could therefore increase the solar-light absorption with respect to the host.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,21
Información de impacto
Volumen
114
DOI
Número de revista
Desde la página
1
Hasta la página
7
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física