Memorias de investigación
Artículos en revistas:
First Demonstration of Direct Growth of Planar High-In-Composition InGaN Layers on Si
Año:2013

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS EXPRESS
ISSN
1882-0778
Factor de impacto JCR
3,013
Información de impacto
Volumen
6
DOI
10.7567/APEX.6.035501
Número de revista
3
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SIN MES
Ranking
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Participantes
  • Autor: Praveen Kumar . UPM
  • Autor: Paul Soto Rodriguez UPM
  • Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez UPM
  • Autor: Naveed Ul Hassan Alvi UPM
  • Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
  • Autor: Richard Notzel . UPM

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica