Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Enhanced external radiative efficiency for 20.8 efficient single-junction GaInP solar cells
Año:2013
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
We demonstrate 1.81?eV GaInP solar cells approaching the Shockley-Queisser limit with 20.8% solar conversion efficiency, 8% external radiative efficiency, and 80?90% internal radiative efficiency at one-sun AM1.5 global conditions. Optically enhanced voltage through photon recycling that improves light extraction was achieved using a back metal reflector. This optical enhancement was realized at one-sun currents when the non-radiative Sah-Noyce-Shockley junction recombination current was reduced by placing the junction at the back of the cell in a higher band gap AlGaInP layer. Electroluminescence and dark current-voltage measurements show the separate effects of optical management and non-radiative dark current reduction.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,844
Información de impacto
Volumen
103
DOI
10.1063/1.4816837
Número de revista
4
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Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: j. f. geisz
  • Autor: m. a. steiner
  • Autor: Ivan Garcia Vara UPM
  • Autor: s. r. kurtz
  • Autor: d. j. friedman
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V