Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Direct comparison of traps in InAlN/GaN and AlGaN/GaN high electron mobility transistors using constant drain current deep level transient spectroscopy
Year:2013
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,844
Impact info
Volume
103
10.1063/1.4813862
Journal number
3
From page
0
To page
4
Month
SIN MES
Ranking
0
Participants
  • Autor: a. sasikumar
  • Autor: a. r. arehart
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: y. pei
  • Autor: d. brown
  • Autor: f. recht
  • Autor: m. a. di forte-poisson
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: M.J Tadjer
  • Autor: s. keller
  • Autor: s. p. denbaars
  • Autor: u. k. mishra
  • Autor: s. a. ringel
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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