Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
High In Composition InGaN for InN Quantum Dot Intermediate Band Solar Cells
Year:2013
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
Si
Title
Japanese Journal of Applied Physics
ISBN
0021-4922
Impact factor JCR
1,067
Impact info
Volume
52
//jjap.jsap.jp/link?JJAP/52/08JH09/.
Journal number
From page
08JH09 1
To page
08JH09 4
Month
SIN MES
Ranking
Participants
  • Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
  • Autor: Paul Soto Rodriguez (UPM)
  • Autor: Pavel Aseev (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: Richard Notzel . (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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