Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Insight into high-reflectivity AlN/GaN Bragg reflectors with spontaneously formed (Al,Ga)N transient layers at the interfaces
Year:2013
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISBN
0021-8979
Impact factor JCR
2,168
Impact info
Volume
113
http://dx.doi.org/10.1063/1.4805054
Journal number
18
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Month
SIN MES
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Participants
  • Autor: Zarko Gacevic (UPM)
  • Autor: A. Eljarrat
  • Autor: F. Peiró
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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