Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy on GaN-buffered Si(111): from ultraviolet to infrared emission
Year:2013
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
Si
Title
NANOTECHNOLOGY
ISBN
0957-4484
Impact factor JCR
3,979
Impact info
Volume
24
10.1088/0957-4484/24/17/175303
Journal number
17
From page
0
To page
8
Month
SIN MES
Ranking
0
Participants
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: X Kong
  • Autor: A. Trampert
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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