Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Eliminating the buffer between InGaN and Si
Year:2013
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
No
Title
Compound Semiconductor
ISBN
1096-598X
Impact factor JCR
Impact info
Volume
http://www.compoundsemiconductor.net/csc/adminpane
Journal number
61
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Month
SIN MES
Ranking
Participants
  • Autor: Praveen Kumar . (UPM)
  • Autor: Richard Notzel . (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: Paul Soto Rodriguez (UPM)
  • Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
  • Autor: Naveed Ul Hassan Alvi (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)