Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Eliminating the buffer between InGaN and Si
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
Compound Semiconductor
ISSN
1096-598X
Factor de impacto JCR
Información de impacto
Volumen
DOI
http://www.compoundsemiconductor.net/csc/adminpane
Número de revista
61
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Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Praveen Kumar . (UPM)
  • Autor: Richard Notzel . (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: Paul Soto Rodriguez (UPM)
  • Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
  • Autor: Naveed Ul Hassan Alvi (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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