Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Eliminating the buffer between InGaN and Si
Año:2013

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
Compound Semiconductor
ISSN
1096-598X
Factor de impacto JCR
Información de impacto
Volumen
DOI
http://www.compoundsemiconductor.net/csc/adminpane
Número de revista
61
Desde la página
-
Hasta la página
-
Mes
SIN MES
Ranking

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: Praveen Kumar . UPM
  • Autor: Richard Notzel . UPM
  • Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
  • Autor: Paul Soto Rodriguez UPM
  • Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez UPM
  • Autor: Naveed Ul Hassan Alvi UPM

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica