Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Thermal stability of GaN on-Si HEMTs with different in situ cap layers
Year:2013
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
37th International Workshop on Compound Semiconductors and Integrated Circuits, Wocsdice 2013.
960
Place
Warnemünde (Germany), 2013
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
09/12/2013
End Date
11/12/2013
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0
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3
Proceedings
Participants
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Wang Ashu . (UPM)
  • Autor: Veronica Gao Zhan (UPM)
  • Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
  • Autor: A.D Koehler
  • Autor: T.J Anderson
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)