Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing
Year:2013
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
17th European Molecular Beam Epitaxy workshop
960
Place
Levi (Finland), 2013
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
10/03/2013
End Date
13/03/2013
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3
Proceedings
Participants
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: J:M Llorens
  • Autor: B. Alen
  • Autor: D. F Reyes
  • Autor: D.L Sales
  • Autor: D. González
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)