Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Gate oxide stability of 4H-SiC MOSFETs under on/off-state bias-temperature stress
Year:2013
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
Si
Title
Materials Science Forum
ISBN
0255-5476
Impact factor JCR
0,399
Impact info
Volume
740-742
10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.553
Journal number
From page
553
To page
556
Month
SIN MES
Ranking
0
Participants
  • Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
  • Autor: A. Constant
  • Autor: P. Godignon
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Alberto Bosca Mojena (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: M. Berthou
  • Autor: Jose Maria Fuster Millan (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)