Memorias de investigación
Cursos, seminarios y tutoriales:
Thermal assessment of GaN on-Si HEMTs and diodes with different cap layers: GaN, in situ SiN, and in situ SiN/GaN
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
Nombre congreso
Seminar_Neue Materialien_Halbleite
Entidad organizadora
OTTO-VON-GUERICKE-UNIVERSITÄT MAGDEBURG
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar/Ciudad de impartición
Magdeburg (Germany), 2013
Fecha inicio
30/05/2013
Fecha fin
30/05/2013
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología