Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Capítulo de libro:
Tailored Deposition by LPCVD of Non-stoichiometric Si Oxides and their Application in the Formation of Si Nanocrystals Embedded in SiO2 by Thermal Annealing.
Año:2007
Áreas de investigación
  • Procesado y análisis de la señal
Datos
Descripción
Silicon oxide films with excess of Si were deposited by Low Pressure Chemical Vapor Deposition. The growth rate of the films and the excess of silicon in them have been modeled using a Face-centered Central Composite Design experiment. Samples annealed at 1100 ºC show luminescence (665 nm) at 80K and at room temperature associated to Si nanocrystals.
Internacional
Si
DOI
Edición del Libro
0
Editorial del Libro
ISBN
978-1-55899-949-7
Serie
0
Título del Libro
Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology¿2007, edited by Virginia Chu, Seiichi Miyazaki, Arokia Nathan, Jeffrey Yang, Hsiao-Wen Zan (Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
Desde página
989
Hasta página
231
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Participante: A. Rodríguez
  • Participante: B. Morana
  • Participante: J.C. G. Sande (EUIT. Telecomunicación (UPM))
  • Participante: M. Avella
  • Autor: Juan Ignacio Godino Llorente (UPM)
  • Participante: A.C. Prieto
  • Participante: J.J. Jiménez
  • Participante: T Rodriguez
  • Participante: J. Sangrador
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería de Circuitos y Sistemas
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