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Descripción
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| La formación de nanopartículas de SiGe de tamaño homogéneo, menor de 5nm, embebidas en una matriz dieléctrica de SiO2 es de interés por sus posibles aplicaciones en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. Resultados previos indican que la deposición química en fase vapor a baja presión (LPCVD) de capas amorfas discontinuas de SiGe en SiO2 y su posterior cristalización permiten obtener una distribución homogénea de nanocristales. En esta presentación se analiza la estabilidad estructural de nanopartículas de SiGe de tamaño inferior a los 5 nm, amorfas y cristalinas mediante irradiación con el haz de electrones de un microscopio Tecnai 20F FEG operado a 200 kV. Se ha empleado la cámara Gatan US 1000 CCD para medir el flujo de electrones, el flujo máximo empleado es <70 A.cm-2 que es compatible con la observación directa de la imagen en la cámara CCD. Se han irradiado nanopartículas en muestras de multicapas compuestas por cinco periodos de nanopartículas amorfas de SiGe/SiO2 con una fracción de Ge x = 0.4 aproximadamente. Los efectos de la irradiación descritos permiten comprender la dependencia de la cristalización de las nanopartículas con el tiempo de recocido y la temperatura por RTA y explican de manera cualitativa el efecto del tamaño de las nanopartículas sobre la cristalización. Mayor flujo de electrones energéticos sobre la partícula equivale a mayor energía depositada sobre la muestra y la disminución del tamaño de las nanopartículas durante la irradiación explica la difusión completa observada para tiempos largos de recocido. | |
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Internacional
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No |
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JCR del ISI
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Título de la revista
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Libro de Actas de la XXIII Reunión Bienal de la Sociedad de Microscopía de España |
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ISSN
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13:978-84-611-7793-6 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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