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Descripción
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| El objetivo de este proyecto es el crecimiento de óxidos de hafnio sobre obleas de silicio para su utilización como alternativa al oxido de silicio en la puerta de los MOST. La técnica utilizada es el depósito mediante pulsos laser (PLD). Se caracterizan las propiedades dieléctricas y estructurales del material depositado. | |
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Internacional
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Si |
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Tipo de proyecto
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Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas |
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Entidad financiadora
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Ministerio de Educación y Ciencia |
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Nacionalidad Entidad
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ESPAÑA |
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Tamaño de la entidad
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Gran Empresa (>250) |
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Fecha concesión
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01/01/2006 |