Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Project:
Desarrollo y Caracterización de Nanostructuras de Si/HF02/NC-SiGe/SiO2
Year:2007
Research Areas
  • Electronics engineering
Information
Abstract
El objetivo de este proyecto es el crecimiento de óxidos de hafnio sobre obleas de silicio para su utilización como alternativa al oxido de silicio en la puerta de los MOST. La técnica utilizada es el depósito mediante pulsos laser (PLD). Se caracterizan las propiedades dieléctricas y estructurales del material depositado.
International
Si
Project type
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Company
Ministerio de Educación y Ciencia
Entity Nationality
ESPAÑA
Entity size
Gran Empresa (>250)
Granting date
01/01/2006
Participants
  • Participante: C Ballesteros Pérez
  • Participante: Andres Rodriguez Dominguez (UPM)
  • Participante: Jesus Sangrador Garcia (UPM)
  • Director: Tomas Rodriguez Rodriguez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Departamento: Tecnología Electrónica
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