Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Insight into high-reflectivity AlN/GaN Bragg reflectors with spontaneously formed (Al,Ga)N transient layers at the interfaces
Año:2013

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,168
Información de impacto
Volumen
113
DOI
10.1063/1.4805054
Número de revista
18
Desde la página
0
Hasta la página
7
Mes
Ranking
0

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica