Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Impact of device geometry at different ambient temperatures on the self-heating of GaN-based HEMTs
Year:2014
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISBN
0268-1242
Impact factor JCR
1,921
Impact info
Volume
29
10.1088/0268-1242/29/11/115013
Journal number
11
From page
0
To page
9
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: s. martin-horcajo (UPM)
  • Autor: m. f. romero (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
  • Autor: m. j. tadjer
  • Autor: a. d. koehler
  • Autor: t. j. anderson
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)