Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Light-Emitting-Diodes based on ordered InGaN nanocolumns emitting in the blue, green and yellow spectral range
Año:2014
Áreas de investigación
  • Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas
Datos
Descripción
The growth of ordered arrays of InGaN/GaN nanocolumnar light emitting diodes by molecular beam epitaxy, emitting in the blue (441 nm), green (502 nm), and yellow (568 nm) spectral range is reported. The device active region, consisting of a nanocolumnar InGaN section of nominally constant composition and 250 to 500 nm length, is free of extended defects, which is in strong contrast to InGaN layers (planar) of similar composition and thickness. The devices are driven under pulsed operation up to 1300 A/cm2 without traces of efficiency droop. Electroluminescence spectra show a very small blue shift with increasing current, (almost negligible in the yellow device) and line widths slightly broader than those of state-of-the-art InGaN quantum wells.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Nanotechnology
ISSN
0957-4484
Factor de impacto JCR
Información de impacto
Volumen
25
DOI
Número de revista
Desde la página
435203-1
Hasta la página
435203-7
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo UPM
  • Autor: Steven Albert . UPM
  • Autor: David Lopez-Romero Moraleda UPM
  • Autor: Pierre Lefebvre CNRS¿Laboratoire Charles Coulomb (L2C)
  • Autor: Francesca Barbagini
  • Autor: Almudena Torres-Pardo Dept. Química Inorgánica, Universidad Complutense
  • Autor: Jose M. Gonzalez-Calbet Dept. Química Inorgánica, Universidad Complutense
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia UPM
  • Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica