Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Physical Model for GaN HEMT Design Optimization in High Frequency Switching Applications
Year:2014
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
PROCEEDINGS OF THE 2014 44TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC 2014)
ISBN
1930-8876
Impact factor JCR
0
Impact info
Volume
Journal number
From page
393
To page
396
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: d. cucak (UPM)
  • Autor: m. vasic (UPM)
  • Autor: o. garcia (UPM)
  • Autor: j. oliver (UPM)
  • Autor: p. alou (UPM)
  • Autor: j. a. cobos (UPM)
  • Autor: s. martin-horcajo (UPM)
  • Autor: f. romero (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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