Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effect of annealing atmosphere in the properties of GaAs layers deposited by sputtering techniques on Si substrates
Año:2014
Áreas de investigación
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Dispositivos electrónicos,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
This work reports changes in the structural properties of sputtered GaAs layers deposited on Si (100) substrates induced by thermal annealing under different arsine atmospheres. The effects of the AsH3 partial pressure (P (AsH3) ) and of the annealing temperature in the GaAs layer properties were analyzed by means of in situ reflectance spectroscopy, in situ transient reflectance at 2.65 eV, X-ray diffraction and atomic force microscopy. The results obtained reveal a direct correlation between the AsH3 partial pressure and the evolution of the GaAs surface morphology as well as the annihilation of As clusters formed during the sputtering procedure.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Journal of Materials Science-Materials in Electronics
ISSN
0957-4522
Factor de impacto JCR
1,966
Información de impacto
Volumen
25
DOI
Número de revista
1
Desde la página
134
Hasta la página
139
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Beatriz Galiana Blanco (UPM)
  • Autor: S. Silvestre
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física
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