Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Lattice pulling effect and strain relaxation in axial (In, Ga)N/GaN nanowire heterostructures grown on GaN-buffered Si(111) substrate
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
ISSN
1862-6300
Factor de impacto JCR
1,525
Información de impacto
Volumen
212
DOI
10.1002/pssa.201400198
Número de revista
4
Desde la página
736
Hasta la página
739
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: s. albert (UPM)
  • Autor: x. kong
  • Autor: a. bengoechea-encabo (UPM)
  • Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
  • Autor: e. calleja (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: a. trampert
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2021 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)