Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Lattice pulling effect and strain relaxation in axial (In, Ga)N/GaN nanowire heterostructures grown on GaN-buffered Si(111) substrate
Year:2015
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
ISBN
1862-6300
Impact factor JCR
1,525
Impact info
Volume
212
10.1002/pssa.201400198
Journal number
4
From page
736
To page
739
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: s. albert (UPM)
  • Autor: x. kong
  • Autor: a. bengoechea-encabo (UPM)
  • Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
  • Autor: e. calleja (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: a. trampert
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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