Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Capping layer growth rate and the optical and structural properties of GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots
Year:2014
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISBN
0021-8979
Impact factor JCR
2,21
Impact info
Volume
116
10.1063/1.4896963
Journal number
13
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0
To page
7
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: d. f. reyes
  • Autor: a. guzman (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: t. ben
  • Autor: d. gonzalez
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ciencia de Materiales
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)