Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Analysis of InAl(Ga)N/GaN wet-etching by structural, morphological and electrical methods
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
0268-1242
Factor de impacto JCR
1,921
Información de impacto
Volumen
29
DOI
10.1088/0268-1242/29/7/075003
Número de revista
7
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7
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: t. brazzini (UPM)
  • Autor: s. martin-horcajo (UPM)
  • Autor: m. f. romero (UPM)
  • Autor: z. gacevic (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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