Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Influence of lateral and in- depth metal segregation on the patterning of ohmic contacts for GaN-based devices
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
ISSN
0022-3727
Factor de impacto JCR
2,528
Información de impacto
Volumen
47
DOI
10.1088/0022-3727/47/18/185302
Número de revista
18
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Mes
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Participantes
  • Autor: m. f. romero UPM
  • Autor: a. redondo-cubero
  • Autor: e. munoz UPM
  • Autor: l. vazquez
  • Autor: l. c. alves
  • Autor: v. corregidor
  • Autor: a. pantellini
  • Autor: c. lanzieri
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica