Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Temperature performance of AlGaN/GaN MOS-HEMTs on Si substrates using Gd2O3 as gate dielectric
Year:2014
Research Areas
  • Electric engineers, electronic and automatic (eil),
  • Electronic devices
Information
Abstract
Temperature performance of AlGaN/GaN MOS-HEMTs on Si substrates using Gd2O3 as gate dielectric
International
Si
Congress
23th European Workshop on Heterostructures Technology
960
Place
Giessen, Germany
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
12/10/2014
End Date
15/10/2014
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23th European Workshop on Heterostructures Technology
Participants
  • Autor: Veronica Gao Zhan (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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