Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Temperature performance of AlGaN/GaN MOS-HEMTs on Si substrates using Gd2O3 as gate dielectric
Año:2014
Áreas de investigación
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Dispositivos electrónicos
Datos
Descripción
Temperature performance of AlGaN/GaN MOS-HEMTs on Si substrates using Gd2O3 as gate dielectric
Internacional
Si
Nombre congreso
23th European Workshop on Heterostructures Technology
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Giessen, Germany
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
12/10/2014
Fecha fin congreso
15/10/2014
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Título de las actas
23th European Workshop on Heterostructures Technology
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica