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Descripción
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| Selective area growth of GaN nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy, chapter 9 | |
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Internacional
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Si |
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DOI
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Edición del Libro
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1 |
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Editorial del Libro
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ISTELtd and John Wiley&son,2014 |
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ISBN
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0000000000000 |
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Serie
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Título del Libro
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Wide Band Gap Semiconductors Nanowires 1 |
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Desde página
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10 |
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