Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Deep Level Analysis of Homoepitaxial ZnO Doped with N
Year:2014
Research Areas
  • Description,
  • Defects,
  • Structure,
  • Optical properties,
  • Electronic structure
Information
Abstract
Ponencia en el simposio Oxide Materials
International
Si
Congress
Materials Research Society fall meeting 2014
960
Place
Boston, Massachussets, EEUU
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
30/11/2014
End Date
05/12/2014
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1
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3
Deep Level Analysis of Homoepitaxial ZnO Doped with N http://www.mrs.org/fall-2014-program-o/
Participants
  • Autor: Alejandro Kurtz De Griño (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Leonard Gura
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Jean Michelle Chauveau (CHREA-CNRS, Niza, Francia)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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