Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Four-injector variability modeling of FinFET predictive technology models
Año:2014
Áreas de investigación
  • Nanoelectrónica,
  • Modelado eléctrico de circuitos integrados
Datos
Descripción
The usual way of modeling variability using threshold voltage shift and drain current amplification is becoming inaccurate as new sources of variability appear in sub-22nm devices. In this work we apply the four-injector approach for variability modeling to the simulation of SRAMs with predictive technology models from 20nm down to 7nm nodes. We show that the SRAMs, designed following ITRS roadmap, present stability metrics higher by at least 20% compared to a classical variability modeling approach. Speed estimation is also pessimistic, whereas leakage is underestimated if sub-threshold slope and DIBL mismatch and their correlations with threshold voltage are not considered.
Internacional
Si
Nombre congreso
CMOS Variability (VARI), 2014 5th European Workshop on
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Palma de Mallorca
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4799-5399-8
DOI
10.1109/VARI.2014.6957075
Fecha inicio congreso
29/09/2014
Fecha fin congreso
01/10/2014
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Título de las actas
CMOS Variability (VARI), 2014 5th European Workshop on
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Laboratorio de Sistemas Integrados (LSI)
  • Departamento: Ingeniería Electrónica